行业真空应用半导体芯片全流程(晶圆制造、薄膜沉积、刻蚀、离子注入、扩散、封装测试)全部依赖高洁净、高真空环境,真空泵是真空腔体的核心动力设备,直接决定良率、工艺稳定性与芯片性能,主流分为干式干泵、分子泵、离子泵、涡轮泵等,半导体产线以无油干式真空泵为主流。
真空需求与痛点| 制造工序 | 具体场景 | 工艺技术要求 | 常用真空泵类型 |
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硅片制备-晶体生长 |
拉晶炉 |
1.超高洁净度; 2.高效处理高温硅蒸气与粉尘; 3.宽抽速范围,快速抽气能力,精准控压; |
干泵机组 |
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前道工序-薄膜沉积 |
CVD/PVD/外延 |
粉尘多,易卡泵; 有腐蚀性气体,真空泵需要做防腐涂层; |
干泵机组 |
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前道工序-刻蚀 |
Dry Etch |
释放强腐蚀性气体(Cl2,BCl,CF,SF。); 高粉尘(SiF,聚合粉尘,金属残渣), 易堵塞、磨损转子; 压力波动敏感,控压要求高; |
干泵机组 |
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前道工序-离子注入 |
离子注入机 |
高真空环境;真空度稳定性要求高; |
低温泵+干泵组合 |
工艺真空泵选型
| 制造工序 | 具体场景 | 常用真空泵类型 |
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硅片制备-晶体生长 |
拉晶炉 |
干泵机组 EDC4040 |
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前道工序-薄膜沉积 |
CVD/PVD/外延 |
干泵机组 EDC610/EDC1220/EDC2020 |
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前道工序-刻蚀 |
Dry Etch |
干泵机组 EDC610/EDC1220 |
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前道工序-离子注入 |
离子注入机 |
低温泵+干泵组合 EDC1220 |
MDR罗茨增压泵
MDR系列是MICROWAV迈科微自主研发的一种罗茨增压真空泵,多级罗茨结构设计,自主知识产权,可以替代传统单级罗茨串联结构。
性能特点
• 逐级变径变距罗茨增压,更紧凑的外形,更高的压缩比,最大可达200倍;
• 逐级增压,依据间级压差,内部旁通管道实现气流通道最优化(直排,恒通,多级压缩);
• 逐级增压或直排,降低压缩热集中,避免过热高温;
• 逐级增压,降低级间压差比,大幅降低腔内返流,级间抽气效率大幅提升;
• 效能提升,降低前级泵性能要求;
EHS系列单泵系统由MHS系列混合干泵、电气控制系统和撬装系统组成,可加装过滤器。
性能特点
低能耗,比同等性能的干式真空泵低40%
• 采用高效水冷永磁电机效率>97%;采用永磁直联,没有耦合、联轴器,减少驱动损失;
• 特殊转子结构,内压缩比>16,尾排气体只有进气的10%,多级压缩节能;
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200m3/h干泵 |
EHS200 | G*250 | D*250 | L*70 |
| 实际kwh | 0.8 | 2.2 | 2.1 | 3.1 |
适应强
• 螺杆转子可以采用不同材质/镀层,满足不同工艺的需求;
• 真空腔采用不同工艺的氮气吹扫、温度控制满足不同严苛工艺的需求;
• 可以更好的处理粉尘、腐蚀性介质;
EDC系列真空泵机组配备了自主研发的MHS系列混合真空泵的高度集成化的真空系统,同等抽能能力下体积更小、能耗更低,对标国际一线品牌,可以实现同等国产替代,保证性能的同时降低运营成本。
性能特点 超节能,能耗比国外竞对低40%-60%
ALD EDC4040 抽气能力满足60000L/min 综合能耗2.1kw/h
PECVD EDC2020 抽气能力满足30000L/min 综合能耗1.1kw/h
耐腐蚀
EDC系列真空机组BP泵的转子采用316SS或其它耐蚀合金,泵壳采用镀层,可以满足CI、CFX、CHFX、TEOS、F2、HF等气体的腐蚀,具有更强的耐腐蚀能力,更满足严苛工艺要求。
适用范围MICROWAY迈科微真空泵已经通过半导体制造清洁制程、中等严苛制程和重度严苛制程的可靠性验证,可以适用Load Lock/PECVD/CVD/ALD/LPCVD/ETCH/EPITAXY/IMPLANT等工艺。
通过SEMI S2/F47认证
方案优势
• 性能优势明显,满足工艺要求;
• 无知识产权纠纷,全球独有技术路线产品,与国外竞品结构完全不同;
• 内部易损件采用全球标准零部件,无隐形备件、维保成本;
• 整机设计与国外头部竞品可互换,包括工艺进出接口、冷却水接口、电气接口适配;


