半导体真空泵解决方案
行业真空应用

半导体芯片全流程(晶圆制造、薄膜沉积、刻蚀、离子注入、扩散、封装测试)全部依赖高洁净、高真空环境,真空泵是真空腔体的核心动力设备,直接决定良率、工艺稳定性与芯片性能,主流分为干式干泵、分子泵、离子泵、涡轮泵等,半导体产线以无油干式真空泵为主流。

真空需求与痛点
制造工序 具体场景 工艺技术要求 常用真空泵类型
硅片制备-晶体生长
拉晶炉
1.超高洁净度;
2.高效处理高温硅蒸气与粉尘;
3.宽抽速范围,快速抽气能力,精准控压;
干泵机组
前道工序-薄膜沉积
CVD/PVD/外延
粉尘多,易卡泵;
有腐蚀性气体,真空泵需要做防腐涂层;
干泵机组
前道工序-刻蚀
Dry Etch
释放强腐蚀性气体(Cl2,BCl,CF,SF。);
高粉尘(SiF,聚合粉尘,金属残渣),
易堵塞、磨损转子;
压力波动敏感,控压要求高;
干泵机组
前道工序-离子注入
离子注入机 高真空环境;真空度稳定性要求高;
低温泵+干泵组合
工艺真空泵选型

制造工序 具体场景 常用真空泵类型
硅片制备-晶体生长
拉晶炉
干泵机组 EDC4040
前道工序-薄膜沉积
CVD/PVD/外延
干泵机组 EDC610/EDC1220/EDC2020
前道工序-刻蚀
Dry Etch
干泵机组 EDC610/EDC1220
前道工序-离子注入
离子注入机 低温泵+干泵组合 EDC1220

MDR罗茨增压泵

MDR系列是MICROWAV迈科微自主研发的一种罗茨增压真空泵,多级罗茨结构设计,自主知识产权,可以替代传统单级罗茨串联结构。

性能特点

• 逐级变径变距罗茨增压,更紧凑的外形,更高的压缩比,最大可达200倍;
• 逐级增压,依据间级压差,内部旁通管道实现气流通道最优化(直排,恒通,多级压缩);
• 逐级增压或直排,降低压缩热集中,避免过热高温;
• 逐级增压,降低级间压差比,大幅降低腔内返流,级间抽气效率大幅提升;
• 效能提升,降低前级泵性能要求;

EHS系列干泵

EHS系列单泵系统由MHS系列混合干泵、电气控制系统和撬装系统组成,可加装过滤器。

性能特点

低能耗,比同等性能的干式真空泵低40%
• 采用高效水冷永磁电机效率>97%;采用永磁直联,没有耦合、联轴器,减少驱动损失;
• 特殊转子结构,内压缩比>16,尾排气体只有进气的10%,多级压缩节能;

200m3/h干泵
EHS200 G*250 D*250 L*70
实际kwh 0.8 2.2 2.1 3.1

适应强
• 螺杆转子可以采用不同材质/镀层,满足不同工艺的需求;
• 真空腔采用不同工艺的氮气吹扫、温度控制满足不同严苛工艺的需求;
• 可以更好的处理粉尘、腐蚀性介质;

EDC系列真空机组

EDC系列真空泵机组配备了自主研发的MHS系列混合真空泵的高度集成化的真空系统,同等抽能能力下体积更小、能耗更低,对标国际一线品牌,可以实现同等国产替代,保证性能的同时降低运营成本。

性能特点 超节能,能耗比国外竞对低40%-60%

ALD        EDC4040 抽气能力满足60000L/min  综合能耗2.1kw/h
PECVD    EDC2020 抽气能力满足30000L/min  综合能耗1.1kw/h
耐腐蚀
EDC系列真空机组BP泵的转子采用316SS或其它耐蚀合金,泵壳采用镀层,可以满足CI、CFX、CHFX、TEOS、F2、HF等气体的腐蚀,具有更强的耐腐蚀能力,更满足严苛工艺要求。

适用范围

MICROWAY迈科微真空泵已经通过半导体制造清洁制程、中等严苛制程和重度严苛制程的可靠性验证,可以适用Load Lock/PECVD/CVD/ALD/LPCVD/ETCH/EPITAXY/IMPLANT等工艺。

通过SEMI S2/F47认证


方案优势
进口品牌同等替代

• 性能优势明显,满足工艺要求;
• 无知识产权纠纷,全球独有技术路线产品,与国外竞品结构完全不同;
• 内部易损件采用全球标准零部件,无隐形备件、维保成本;
• 整机设计与国外头部竞品可互换,包括工艺进出接口、冷却水接口、电气接口适配;



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